В предлагаемой статье анализируется влияние радиации на термодинамику
суперионных кристаллов (СИК) в модели, предполагающей корреляцию в
расположении междоузельного иона и вакансии, с которой он связан рождением.
Считается, что радиационные дефекты не вносят изменений в энергию системы и
учитываются только через конфигурационную энтропию. Показано, что облучение
должно повышать температуру фазового перехода в суперионное состояние.